选择合适的性能气体和工艺参数可以促进某些独特的性能，电晕处理机一起动就跳闸从而形成特殊的聚合物附着和结构。典型地，反应物的选择允许电晕和底物反应，导致挥发性附着。由于反向吸附作用，这些处理过的材料表面的附着物可以用真空泵抽走，不需要进一步清洗或中和，从而造成表面腐蚀。。
电晕去污不需要使用整个湿法工艺线，电晕处理的最佳参数降低了化学处理的成本，减少了水的使用。电晕去污时，面板放置在真空箱中，再通过电源引入气体转化为电晕。电晕在面板表面反应，通过真空泵去除挥发性树脂去污。利用电晕表面处理设备去除钻井污染的研究较多。研究人员研究了电晕机腔体的刻蚀速率分布和测定了聚酰亚胺、丙烯酸和环氧树脂在刚柔结合板中的刻蚀速率与电晕参数的关系。
常压电晕通孔刻蚀工艺参数对关键尺寸、轮廓图形和电性能的影响；典型的常压电晕蚀刻铜通孔工艺由下至上由蚀刻停止层、层间介质层、硬掩模层、增透涂层和光刻胶组成。铜通孔蚀刻工艺包括底防反射层和硬掩模层蚀刻、主蚀刻、过蚀刻和光刻胶灰化四个步骤。
借助电晕电晕中的离子或高活性原子，电晕处理机一起动就跳闸敲除表面污染物或形成挥发性气体，再由真空系统带走，实现表面清洁目的。电晕形成过程中，在高频电场中处于低压状态的氧气、氮气、甲烷、水蒸气等气体分子，在辉光放电条件下可分解为加速原子和分子。这样产生的电子在电场中加速时，会获得高能量，与周围的分子或原子发生碰撞。因此，电子在分子和原子中被激发，它们处于被激发或离子状态。此时，物质存在的状态是电晕状态。
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由于CH3-CH3键的键能为3.8eV，CH3CH2-H键的键能为4.2eV（电晕中电子的平均能量为6eV)，C2H6分子在电晕作用下以以下方式离解：C2H6+E*&Rarr；CH3+CH3+e(3-38)C2H6+E*&Rarr；C2H5+H+E(3-39)同样，CO2分子与高能电子的非弹性碰撞促进了C-O键的断裂和活性氧的形成：CO2+E*&Rarr；CO+O-(3-40)CO2+E*&Rarr；CO+O+E(3-41)活性氧与C2H6分子发生无弹性碰撞，形成C2H4和C2H2终身；C2H6+0&RARR；C2H4+H2OC2H6+O-&Rarr；C2H4+H2O+e(3-42)C2H6+2O&RARR；C2H4+H2O，C2H6+2O-&RARR；C2H2+2H2O+2E(3-43)因此，随着反应体系中CO2添加量的增加，更多的氧物种与乙烷反应生成乙烯和乙炔。
2.低温电晕减污机理，电晕化学反应过程中电晕表面处理器的能量转移，电晕化学反应中的能量转移大致如下：（1）电场+电子&RARR；高能电子的结合；（2）高能电子+分子（或原子）&RARR；活性基团（受激原子、受激基团、自由基团）；（3）活性基团+分子（原子）&RARR；产品+热度；（4）活性组+活性组&RARR；产品+热度。
3电晕需满足限制条件电晕中电晕的存在有空间和时间限制，如果如果电离气体的空间尺度不满足电晕存在的空间极限，或者电离气体的时间小于电晕存在的时间尺度下限，这样的电离气体不能算作电晕。一般来说，电晕是电离气体，但电离气体不一定是电晕。技术，精确到每一个微小的粒子！电晕中的电离气体包括电晕和一般电离气体！。
就是在真空枪里面，通过射频供电，在保证一定压力的情况下，产生与能量相对较高的电子相等的电子，通过撞击可以直接到达清洁产品的表面。这样它就可以直接对表面进行深入彻底的清洁，从而达到彻底的清洁效果。在这种情况下，工作效率会很快。其次，大气电晕的性能确实可靠。
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