等离子表面处理机多晶硅栅极蚀刻： 当CMOS工艺延伸到65nm及以下工艺节点时，203附着力促进剂是危化品吗等离子表面处理机栅极的蚀刻制造面临诸多挑战。作为控制沟道长度的关键工艺，多晶硅栅极的图形与器件性能紧密相连，牵一发而动全身。摩尔定律推动黄光图形技术从248nm波长光源工艺转向193nm 波长光源工艺。这一转变在2012年成功实现了30nm 的图形分辨率。
PLASMA等离子体能量密度对反应物CH4和CO2转化率的影响.换言之，附着力促进剂903sPLASMA的等离子体输出增加，源气体的流量减少。换句话说，它增加了能量密度并有助于提高转化率。 CH 和 CO2。当能量密度为2200KJ/MOL时，CH4和CO2的转化率分别为43.6%和58.4%。
人工检查程序： 1.按主菜单上的手动模式按钮，附着力促进剂903s选择手动模式 2. 按手动模式屏幕上的真空开/关按钮，打开真空阀室 3. 观察基础气压。阅读列表位于屏幕右侧。 5 分钟内应小于 m Torr。 4. 等待 20 分钟，让残留的水从系统中排出。 5. 记录最终压力。 6. 按真空开/关按钮关闭真空室的真空阀。 7. 观察基础压力。
工艺参数设置如下：腔室压力15 mitol，203附着力促进剂是危化品吗工艺体流量300 CCM，时间3S；工艺工艺参数设置为：腔室压力15 mitol，工艺体流量300 SCCM，顶电极输出300W，时间SS等离子清洗...
