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然而,IC除胶uHF射频通常会产生驻波效应,影响等离子体的均匀性,特别是在大晶圆尺寸的情况下。目前对IED进行改进的商用机器之一是东京电子公司开发的CCP机器,它使用负直流脉冲作为上电极,主要用于超高宽比存储器的介电腐蚀。其机理是在射频同步脉冲关闭时增加直流电流值,从而提高离子轰击能力和电荷中和能力。在ICP方向,学术界也提出了类似的想法,即在同步脉冲的基础上加直流,上电极加直流(负)或下电极加直流(正)。

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随着半导体尺越来越接近物理极限,IC除胶设备为了将器件进行到更小的尺寸,不断有新材料、新器件结构和新技术吸引着集成电路制造工艺,包括高介电常数材料,sige载体传输增强材料和金属栅格材料;SiCoNiTM预清洗工艺和分子束外延生长工艺,以及等离子体清洗机气体材料的类型和数量也在不断变化和增加。一般来说,等离子清洗机的气体材料根据生产工艺的数量、难度和安全性可分为一般气体和特殊气体。

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