Ar和氦的性能稳定，eva材料附着力解决方法放电电压低(Ar原子的电离能E为15.57eV)，容易形成亚稳态原子。首先，等离子处理器利用其高能粒子的物理功能来清洁容易氧化或还原的物体。Ar+轰击污垢，形成挥发性污垢，用真空泵抽离，避免表面板反应。
一般情况下，eva材料附着力常压DBD等离子清洗机的中子辐射过程主要有三个阶段，即激发辐射、复合辐射和同位素辐射，而常压DBD等离子清洗机的电子温度仅为1~10eV，因此，实际上起主要作用的是激发辐射和复合辐射。激发态是指在受激原子中，处于高激发态的微粒跃迁到低激发态或基态时所发出的辐射。辐射跃迁前后，激发辐射均处于束缚态，激发辐射频率是由跃迁前后两能级能量的差异决定的。
它们的作用是去除物体外表的杂质和污染物，eva材料附着力解决方法它们会发生蚀刻，使样品外表变得粗糙，形成许多细小的凹坑，增加样品的比外表积。进步固体外表的润湿性。2.交联效应：激活键能等离子体中粒子的能量为0~20eV，而聚合物中大部分键的能量为0~10eV。因此，等离子体作用于固体外表后，能够损坏固体外表原有的化学键，等离子体中的自由基与这些化学键形成网状交联结构，很大地激活了外表活性。。
当有机半导体层/电极界面的势垒高度△E<0.4EV时，eva材料附着力一般认为电极与有机半导体层之间形成了欧姆接触。对于 P 型 OFET，高占据轨道能级范围为 -4.9EV 至 -5.5EV，应使用更高的工作函数。常用的是AU（-4.8EV-5.1EV）和ITO（-5.1EV）。常规 ITO 功函数低，需要逐步采用。既然是功函数，可以通过使用准13.56MHZ频率的VP-R3低温等离子发生器来提高。。
