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表8.3不同气体配比嵌段共聚物的蚀刻结果:ARO2Ar/O2CF4O2/CHF3PMMA/PSetch选择性3.631.502.041.851.82etchsel.tounderlyingMaterial(SiorSiOx)好好更好贫穷贫穷前凸度贫穷贫穷好好好原始CD:~25nm)变形的21.58nm24.24纳米26.50nm25.92纳米Xe和H2对PMMA和PS都有较高的刻蚀速率,pmma是亲水性的吗在控制晶片上生长的较厚的PMMA/PS薄膜将很快被等离子体刻蚀。

其技术原理是指在栅极和源漏区硅化后,pmma玻璃亲水性通过等离子体设备蚀刻去除部分或全部侧壁,使后面沉积的应力层或双应力层的应力更有效地施加到沟道区,通过应力接近技术使NMOS的性能提高3%。在PMOS中,由于应力邻近技术的引...

2、pmma 真空镀 附着力(涂料与PMMA的附着力)

3、附着力检测划格器2mm(喷涂件表面附着力检验标准)