首先了解了电晕化学气相沉积金刚石薄膜的成核过程，薄膜电晕处理检测一般分为两个阶段：含碳基团到达衬底表面，然后分散到衬底内部；第二阶段是碳原子以缺陷和衬底表面金刚石亚晶为中心到达衬底表面的成核生长；基体数据：由于成核取决于基体表面的碳饱和度和至芯的临界浓度，因此基体数据的碳弥散系数对成核有重要影响。
当放电功率保持不变时，薄膜电晕处理检测单体气体流量越大，成膜速率越大。随着单体含量的增加，薄膜上的颗粒变得致密，均匀性被大大破坏，导致薄膜结构的不稳定性。它改变了薄膜颗粒的生长方式，类似于串联致密生长和偏压升高。高度之后，颗粒之间紧密堆积的现象越来越明显。
电晕TEOS法制备二氧化硅薄膜的光谱研究；二氧化硅薄膜是一种性能优异的介电材料，东莞生产高效薄膜电晕处理机具有介电性能稳定、介电损耗低、耐湿性好、温度系数好等优点，具有极其稳定的化学和电绝缘性能。因此，二氧化硅被广泛应用于集成电路技术中。正是由于二氧化硅薄膜在集成电路工艺中的广泛应用，需要制备出具有不同特性的二氧化硅薄膜，这意味着要不断发展各种新的薄膜沉积技术。
当La_2O_3的负载量为2%～12%时负载率达到12%时催化剂活性略有下降，东莞生产高效薄膜电晕处理机负载率由0.01%提高到1%。PD对CH4和CO2的转化率、C2烃和CO的产率影响不大。而PD负荷对C2烃类产物分布影响较大。当PD负载为0.01%时，C2烃类产物中C2H4的摩尔分数上升到78%，即C2烃类产物主要为C2H4，气相色谱检测不到C2H8。
薄膜电晕处理检测
