随着半导体工艺技术的发展，湿法刻蚀由于其固有的局限性，已不能满足超大规模集成电路微米、甚至纳米级细线条的工艺加工要求，干法刻蚀逐渐发展起来。在干法刻蚀中，感应耦合等离子体（InductivelyCoupledPlasma简称ICP）刻蚀法由于其产生的离子密度高、蚀刻均匀性好、蚀刻侧壁垂直度高以及光洁度好，逐渐被广泛应用到半导体工艺技术中。
1 ICP等离子刻蚀机的基本原理及结构
1.1 基本原理
感应耦合等离子体刻蚀法（InductivelyCou-pledPlasmaEtch,简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。
1.2 ICP等离子刻蚀机的结构
ICP等离子刻蚀机其设备主要结构包括预真空室、刻蚀腔、供气系统和真空系统四部分，如图1所示。
图一 ICP 等离子刻蚀机设备结构示意图
1.2.1预真空室
预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，不受外界环境（如：粉尘、水汽）的影响，将危险性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。
1.2.2刻蚀腔体
刻蚀腔体是ICP等离子刻蚀设备的核心结构，它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。刻蚀腔的主要组成有：上电极、ICP射频单元、RF射频单元、下电极系统、控温系统等组成，如图2所示。
图二 ICP等离子刻蚀机腔体(1)上电极。上电极下...
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