硅锗沟槽界面对等离子清洗设备蚀刻后Sigma沟槽形状和硅锗外延生长的影响：众所周知，和硅胶附着力好的偶联剂在等离子清洁器中对硅进行干法蚀刻过程中会产生大量的聚合物副产物。设备。密集区域的高反应总量使副产物更容易聚集。在图案化硅实验中，紧密图案化区域中的厚蚀刻副产物导致比稀疏图案化区域更浅的深度。这种深度差异在 TMAH 掩埋工艺之后变得更加明显，甚至可能阻止正常形状的 sigma 型硅沟槽的形成。
等离子表面处理机工作时的热负荷及机械负荷都很低，硅胶附着力怎么样因此，低压等离子体也能处理敏感性材料。等离子表面处理机刻蚀的材料主要分为金属材料和硅。等离子表面处理机刻蚀一般都工作在低气压的条件下。在低气压下，气体分子密度降低，电子自由度增加，因而电子在每两次碰撞之间的加速度能量增加，使电离几率增加。 等离子表面处理机刻蚀对物体表面的刻蚀都是纳米级的，肉眼无法识别。
五、(降)低死层影响 在扩散区中，和硅胶附着力好的偶联剂由于不活泼磷原子处于晶格间隙位置，会引起晶格缺陷。由于磷和硅的原子半径不匹配，高浓度的磷还会造成晶格缺陷。因此，在硅电池表层中，少数载流子的寿命极低，表层吸收短波光子所产生的光生载流子对电池的光电流输出贡献甚微，因此，该表层称为“死层”。
随着针板式反应器上下放电电极间距由8 mm增至16 mm，硅胶附着力怎么样甲烷转化率略成峰型变化，在放电间距为14 mm时大，为30.3%；在放电间距为8...
