P是占比成效，如何提高PI薄膜附着力I是積分成效，D是求微分成效。 PID不光具有快速快速的占比成效，而且还具有積分成效的差错清除及其求微分成效的高級调整作用。 当出現差错阶跃时，导函数将马上起成效以抑止这类差错弹跳； 该占比还具有清除差错和削减差错力度的成效。 由于占比效用是长久且占主导性的操控规律性，因此可以使内腔的真空度更为平稳； 積分成效渐渐摆脱了差错。
这种用于等离子清洁器表面处理机的低温蚀刻方法源于蚀刻高纵横比硅结构的需要，PI薄膜附着力问题主要用于形成非常高纵横比的硅材料结构。这种结构广泛用于微机电系统（MEMS）的前端工艺和后端封装的硅通孔（TSV）。近年来研究表明，等离子清洗机表面处理机的低温等离子刻蚀不仅可以形成所需的特殊材料结构，而且可以减少刻蚀过程中的等离子损伤（plasma-induced damage，PID）。
在FN电流的作用下，如何提高PI薄膜附着力栅氧化层和界面都会产生缺陷，产生的损伤会引起IC成品率降低，并会加速热载流子退化和TDDB效应，引起器件长期可靠性问题。在集成电路制造技术中，充电效应引起的栅氧化层退化是一个严重的问题。 引起PID的机理主要有以下几种： (1)等离子体密度。高的等离子体密度意味着更大的电流在充电导致损伤的模型下，更高的等离子体密度更容易引起PID问题。
随着社会的发展及技术的需要，如何提高PI薄膜附着力工业生产对生产材料的要求也不断增强，如在微电子封装工艺中，电子设备的小型化、高精度，对封装工艺的可靠性提出了相应的要求，高质量的封装技术可以提高电子产品的使用寿命。在线式等离子清洗机...
