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提高消失模涂膜附着力

已发现表面层中杂质 C 的存在是制造半导体 MOS 器件或欧姆接触的主要障碍。欧姆接触和MOS器件的性能。发现等离子处理后CI的高能尾消失,提高消失模涂膜附着力未经等离子处理的SiC表面的Cls峰与等离子处理后的Cls相比偏移了0.4 ev。这是由 C/ 的存在引起的。表面 CH 化合物。无氢等离子表面处理装置处理后的Si-C/Si-O的峰强度比(面积比)为0.87。

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2.等离子体由电子、离子、自由基、激发分子和原子、基态分子和光子组成。虽然它表面上看起来是电中性的,消失模涂料附着力差但实际上它内部具有很强的电、化学和热效应。 3、真空等离子清洗机产生的等离子为非平衡等离子气体的温度远低于电子的温度,电子的质量也很小,但电子的温度还是几万度。在这种情况下,等离子体产生过程中的消失、碰撞、辐射、耦合等。产生大量热量,真空泵抽出一小部分热量,其中大部分留在真空反应室中。

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