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同年，湖南汨罗表面处理中心商用MOS集成电路诞生，通用微电子公司用金属氧化物半导体技术实现了比双极集成电路更高的集成度，并利用该技术制造出独创的计算器芯片组。1968年，Federick&Middot；Federico Faggin和Tom Klein使用硅栅结构（代替金属栅）来提高MOS集成电路的可靠性、速度和封装集成度。发哥设计了一种独创的商用硅栅集成电路（飞兆3708）。
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但是，它也带来电荷伤害。随着栅氧化层厚度的减小，这种损伤会对MOS器件的可靠性产生越来越大的影响，因为它会影响氧化层中的固定电荷密度、界面态密度、平带电压、漏电流等参数。天线单元结构的大面积离子收集区（多晶或金属）一般位于厚场氧上方，因此只需考虑对薄栅氧的隧穿电流效应。大面积集电极面积称为天线，隧道电流随天线单元的增加倍数等于厚...
