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几种主要的蚀刻工艺是:1.制备回波颗粒;2.回波颗粒到达晶片表面并被吸附3.晶圆表面化学吸附响应,电晕机显示f5形成化学键,构成响应产物;4.化学反应产物在晶片外表面的解吸和去除,从腔室中抽离;例:SF6+e>SF5+F+e;SF5+E>SF4+F+E;等待F原子到达衬底,对衬底的响应为F+Si->SiF,SiF+F->SiF2;SiF+SiF>SiF4图6电晕刻蚀的基本机理2.3VDC对刻蚀的影响1.蚀刻速率,由于电子密度和能量与VDC有关,上述化学反应过程对应速率;2.离子脱壳会对晶圆的外观造成结构破坏;离子脱壳的能量与VDC有关,VDC越高,脱壳越强。

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电子、离子、中性原子、激发态原子、光子、自由基等,电晕机显示f5电子和正离子的电荷相等,一般为电中性,不同于物质的三种状态(固体、液体、气体),是物质存在的第四种形式。其主要特点是:(1)带电粒子之间不存在净库仑力;(2)是一种优良的导电流体,利用这一特性可以产生磁流体发电;(3)无净磁力的带电粒子;(4)电离气体对温度有一定的影响。

亲水基团的存在大大增强了纤维表面的吸湿能力;同时,电晕机显示f5聚酰亚胺(P84)纤维经低温电晕处理后,由于表面产生凹坑,使其比表面积增大,进一步提高了吸湿性和导电性。。聚酰亚胺薄膜的电晕表面处理氧电晕处理后,聚酰亚胺薄膜表面经过含氧极性基团处理,产生明显的蚀刻现象,增强了其亲水性,与铜箔复合时剥离强度提高。

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