1962年美国霍尔用p-n同质结制成了DI一个半导体激光器。产生激光必须满足3个条件：粒子数的反转分布、谐振腔和电流超过一定阈值。1963年美国的克勒默和苏联的阿尔费罗夫各自独立地制成了异质结激光器，亲水性的服用纤维也就是在图8中，结区用一种禁带宽度小的材料，如GaAs；两边的p区和n区用另一种禁带宽度大的材料，如AlxGa1-xAs。这样，发光区域被限制在窄小结区中。 因此大大提高了发光效率，降低了激光器的阈值电流。
第三代宽禁带半导体宽带隙半导体（WBS）是第一代元素半导体材料（Si）和第二代复合半导体材料（GaAs、GaP、InP等），亲水性的服用纤维带隙大于2eV，对于这类材料主要是SiC（碳化硅） 、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化镓）、AlN（氮化铝）、ZnSe（硒化锌）和金刚石。正在开发的宽带隙半导体主要是SiC和GaN。其中，SiC的发展速度很快。
1962年，亲水性的服用纤维美国霍尔制造了具有pn纯合子的DI半导体激光器。要产生激光束，必须满足三个条件：粒子数的种群反转、谐振腔和高于一定阈值的电流。 1963年，美国克莱默和苏联阿尔费罗夫独立制造异质结激光器。也就是说，在图 8 中，具有小禁带带宽的材料（例如 GaAs）用于结区。大带隙用于 p 和 n 区域，例如 AlxGa1-xAs。这样，发光区域被限制在狭窄的结节区域。
改善对复合材料表面的粘接性能： 碳纤维、芳纶等连续纤维具有重量轻、强度高、热稳定性和抗疲劳性能优良等显著特点，亲水性的服用纤维用来增强热固性、热塑性树脂基复合材料的制品在飞行器、汽车、体育、电器等领域得到了广泛的应用。但商业纤维材料的表面通常有一层有机涂层，用于制备复合材料。 在加工过程中会形成弱界面层，严重影响树脂与纤维的界面结合。所以在制备复合材料之前，需要通过一定的处理手段来去除它。