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纳米附着力改进剂

大量累积电荷会引起绝缘子附近的电场畸变,纳米附着力导致绝缘子放电,甚至沿面闪络,严重威胁直流GIL设备的安全(满)稳定运行。随着材料科学的发展,越来越多的学者开展了绝缘材料表面改性或纳米改性的研究,可以增加绝缘材料的电荷耗散率,提高绝缘材料的耐压性能。

纳米附着力

虽然是纳米,纳米附着力但由于材料特性和工艺复杂,低k击穿问题与栅氧化层击穿一样困难。高温高压应力下低k材料SiCOH的漏电流随时间变化,初期电流明显减小。这通常是因为电荷被困在电介质中。充电引起的漏电流开始缓慢增加,这个阶段会持续很长时间,直到电流急剧增加或发生破坏。典型的 Cu/low-k 衰减模式通常沿着 low-k 和上覆层之间的界面,具有明显的 Cu 离子扩散。故障可能是电介质中的键断裂或金属扩散到绝缘体中。

使用纳米金“脚手架”制作了悬挂在上面的单层石墨烯薄膜,纳米附着力改进剂发现悬挂的石墨烯薄膜不是“二维平面结构”,但与“类微波单层结构;而石墨烯单层结构的稳定性归功于其“纳米尺度上的微观畸变”.石墨烯是一种零禁带材料,即使在室温下,电子和空穴也能连续存在。

集成电路的尺寸将越来越小,纳米附着力改进剂将出现新的量子效应器件;宽禁带半导体代表了一个新的方向,将在短波长激光器、白光发光管、高频大功率器件等方面有广阔的应用;纳米电子器件有可能作为下一代的半导体微电子和光电子器件;利用单电子、单光子和自旋器件作为量子调控,将在量子计算和量子通信的实用化中起关键作用。

纳米附着力

纳米附着力(纳米附着力改进剂)

1、表面纳米改性(玻璃纤维表面纳米改性涂料)金属材料表面纳米改性

2、二氧化钛附着力(纳米二氧化钛附着力实验)纳米二氧化钛附着力

3、陶瓷表面改性增加耐压(纳米陶瓷表面改性方法)