等离子刻蚀设备RIE150（GSE200通用型等离子刻蚀机）

这是因为当CO2浓度高时，GSE200通用型等离子刻蚀机体系中的活性氧过多，它们与CH4分子相互作用产生氧化产物，并与产生的C2烃产物相互作用转化C2H6，这是为了促进它。将 C2H4 和 C2H2 转化为氧化产物。 CO 产率随着 CO2 浓度的增加而增加，当 CO2 浓度超过 50% 时达到一个恒定值。同时，随着系统中 CO2 浓度从 15% 增加到 85%，产品中 H2 与 CO 的摩尔比从 3.5 下降到 0.6。

当物质从低能聚集态转变为高能聚集态时，GSE200通用型等离子刻蚀机能量由外界供给（加热、电场、辐射等），从固体转变时，每个粒子需要0.01E变成液体或从液体变成气体V能（1EV=1.6022×10-19焦耳），当气体从外界吸收更多能量时，分子的热运动变强，分子解离成原子，充分得到原子中的电子。与电子分离并成为自由电子的能量。气体被电离，电离气体中含有大量的电子、离子和一些中性粒子（原子和分子）。

这种结构就是护套层，GSE200通用型等离子刻蚀机可以是上面的电容器。电容器处于放电环境中，电荷存储在表面上，从而产生电场。电场必须对应于电压。由于平衡，也就是这个电场，和电压是动态的静电场，也就是直流电场和直流电压，就形成了一个VDC。腔室的内壁接地，形成的偏置场阻挡电子，因此这个 VDC 在接地的内壁上具有负值或负偏置。施加到电极上的负偏压与射频电压一起形成复合电压，如下图所示。

同时，等离子刻蚀设备RIE150这些悬空键以 OH 基团的形式存在，从而形成稳定的结构。浸渍（有机）或无机碱退火后，表面Si-OH键脱水并会聚形成硅-氧键。这提高了晶体表面的润湿性，使晶体成为可能。对于材料的直接键合，亲水晶片表面在自发键合方面优于疏水晶片表面。

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2、组织相容性：组织相容性是指机体组织与异物的相容程度，有两层含义。一是机体对异物的反应和影响。身体本能地排斥异物。即使无毒聚合物进入体内，也会排斥异物，引起不同程度和不同时间的反应。高分子材料的生物接受性的决定性因素首先是高分子材料本身的化学稳定性，其次是其与生物组织的亲和力。此外，要求材料对基材无不良影响，如引起炎症、过敏、致畸反应等。与组织相容性有关的对象是组织和细胞。

此类间隔物也称为氮化硅间隔物或氮化硅/氮化硅（氧化物SIN，ON）间隔物。 0.18M时代，这个氮化硅侧壁的应力太高了。如果它很大，饱和电流会降低，泄漏会增加。为了降低应力，需要将沉积温度提高到700℃，这增加了量产的热成本，也增加了泄漏。所以在0.18M时代，选择了ONO的侧墙。

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