在顶部，吉林在线式等离子清洗机厂家如果偏移侧壁的厚度不足以保护多晶硅，在随后的硅锗外延生长中，硅锗外延可以在多晶硅顶部生长，形成缺陷，导致器件失效。会更高。当多晶硅的极限尺寸小于硬的。使用掩模膜可以大大降低出现此类缺陷的可能性，从而提高产量。同样，如果多晶硅在刻蚀后出现严重的底部长腿，那么在PSR刻蚀中底部偏移的侧壁间隔也会消耗更多，后续的硅锗外延会在多晶硅底部生长。硅锗缺陷。
用于硅研究的等离子等离子处理 等离子蚀刻 用于硅研究的等离子等离子处理 等离子蚀刻：硅蚀刻技术广泛用于微电子技术。例如，吉林在线式等离子清洗机厂家高密度 DRAMIC 制造 MEMS 中的器件隔离沟槽或垂直电容器。目前，蚀刻单晶硅主要有两种方法。一种是湿法。湿法蚀刻方法有其自身的局限性，例如使用大量有毒化学物质，并且操作起来不够安全。由于浸没导致的横向渗透和膨胀导致附着力差，并且底切会降低分辨率，这正在逐渐被干法蚀刻所取代。
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