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六方氮化硼表面改性

该方法工艺简单,六方氮化硼表面改性的方法对原材料适应性强,但能耗高,限制了其大规模推广。20世纪60年代,美国Ion Arc公司采用直流电弧等离子体一步热解氧化锆砂制备氧化锆。20世纪70年代末,国内以硼砂和尿素为原料,在直流电弧等离子体中制备了高纯六方氮化硼粉。此外,还可以通过等离子体技术生产二氧化钛。。等离子体加工技术在电子工业中的应用主要有:电子元器件加工前处理、PCB清洗、静电去除、LED支架、晶圆、IC的清洗或粘接等。

硼表面改性

1.1碳纤维的结构碳纤维具有石墨的基本结构,六方氮化硼表面改性的方法但不是理想的石墨晶格结构,而是所谓的无序石墨结构(见图1-1)。多晶结构的单位是六方碳原子的层晶格,层晶格构成层平面。层平面内的碳原子以强共价键连接,键长为0.1421nm;层平面之间由弱范德华力连接,层间距在0.3360~0.3440nm之间;层与层之间没有规则的碳原子固定位置,所以层的边缘是不均匀的。

碳原子在层与层之间没有规则的位置,硼表面改性所以层的边缘是不均匀的。与石墨结构相比,碳纤维的C原子层具有不规则的平移和旋转,但由六方网状共价键键合的C原子层基本平行于纤维轴线排列,导致碳纤维的轴向拉伸模量较高。在混沌石墨结构中,石墨片层是最基本的结构单元,片层之间相互交叉。

使用等离子沉积的硅化合物 SiH4 + N2O(或 Si (OC2H4) + O2)创建 SiOxHy。气压为1-5 Torr(1Torr≈133Pa),氮化硼表面改性输出为13.5MHz。 SiH4+SiH3+N2用于氮化硅沉积,温度300℃,沉积速率180埃/分钟。无定形碳化硅膜由硅烷和含碳...

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