因此，氮化硼亲水性等离子表面清洗机侧壁蚀刻主步骤的终点监测一旦发现底部氧化硅暴露，将立即停止蚀刻并切换到过蚀刻步骤。从覆盖蚀刻步骤蚀刻剩余的氮化硅薄膜，并停止在硅氧化物薄膜上，以防止对底层硅基体的破坏。过蚀刻步骤通常与CH3F或CH2F2和O2气体一起使用。在等离子体中，CH3F气体分解为CHx和f +H。轰击离子能破坏硅氧键。此时CFx基团需要与Si反应生成挥发性副产物。
在 5PA 条件下，氮化硼亲水性如何有无氮化硅硬掩模环境的蚀刻图案基本相同，但在 10PA 条件下，无氮化硅硬掩模，图案密度、副产物或聚合度都处于高区。不同图案环境下蚀刻深度有较大差异，因为材料较多，蚀刻速率急剧下降。在 20 PA 的压力下，可以进行蚀刻，因为聚合物的量太高而无法覆盖整个图案，并且无论图案周围的密度环境如何，蚀刻都无法进行。从 2012 年的报告中获得了对图形表单控制的更详细研究。
目前，氮化硼亲水性如何等离子体处理技术已广泛应用于DRAMS、SRAIMS、MODFET、薄绝缘栅氧化物和新型光电材料的生产，如硅锗合金、高温电子材料（金刚石或类金刚石薄膜）、碳化硅、立方氮化硼等材料和元器件。
等离子处理机的刻蚀工艺改变氮化硅层的形态原理： 等离子处理机可实现清洗、活化、蚀刻和表面涂层等功能，氮化硼亲水性如何依据需要处理的材料不同，可达到不同的处理效果。半导体工业中使用的等离子处理机主要有等离子蚀刻、显影、去胶、封装等。在半导体集成电路中，真空等离子体清洗机的刻蚀工艺，既能刻蚀表面层的光刻胶，又能刻蚀底层的氮化硅层，通过调整部分参数，就可以形成一定的氮化硅层形貌，即侧壁的蚀刻倾斜度。
六方氮化硼亲水性
