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喷塑第二遍附着力不好怎么办

未经过氢等离子体表面处理仪处理的Si-C/Si-O谱峰强度之比(面积之比)为0.87。经过处理的Si-C/Si-O的XPS谱峰强度之比(面积之比)为0.21,与没有经等离子体处理的相比下降了75%。经过湿法处理的表层Si-O的含量明显高于经过等离子体处理的表层。高能电子衍射(RHEED分析发现氢等离子体表面处理仪处理后的碳化硅表层比传统湿法处理的碳化硅表层更加平整,附着力不良分析而且处理后表层出现了(1x1)架构。

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