2.等离子发生器处于等离子状态： (1)平衡等离子体等离子体发生器：具有高气压且电子温度和气体温度几乎相等的等离子体。常压下的电弧放电等离子体和高频感应等离子体。 (2)非平衡等离子体等离子体发生器：在低压或常压下，温度对附着力的影 响电子温度远高于气体温度。低压直流辉光放电、高频诱导辉光放电、大气压下DBD无声势垒放电产生的冷等离子体等。低温等离子发生器产生技术・ DC辉光放电等离子体发生器・低频放电等离子发生器。
对于Te大大高于Ti和Tn的场合，基片温度对附着力的影响即低压气体的场合，此时气体的压力只有几百个帕斯卡，当采用直流高压或高频电压做电场时，由于电子本身的质量很小，在电场中容易得到加速，从而可获得平均可达数电子伏特的高能量，对于电子，此能量的对应温度为几万度k，而离子由于质量较大，很难被电场加速，因此温度仅有几千度。由于气体粒子温度较低（具有低温特性），因此把这种等离子体称为低温等离子体。
前者是接近1的电离程度,每个粒子的温度基本上是相同的,和系统处于热力学平衡状态,温度通常是5报;104 k以上,主要用于受控热核反应的研究;电子的温度远远高于离子。系统处于热力学不平衡状态，基片温度对附着力的影响宏观温度较低。一般气体放电产生的等离子体属于这一类它与现代工业生产密切相关。
其基本原理是：在低气压下，温度对附着力的影 响由ICP射频电源向环形耦合线圈输出，通过耦合辉光放电，混合刻蚀气体通过耦合辉光放电，产生高密度等离子体，在下电极RF作用下，在基片表面轰击，基片图形区域内的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体产生挥发性物质，使气体脱离基片，抽离真空管道。
基片温度对附着力的影响
