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国内从事GaN外延片的厂商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶展半导体、江苏能华和英诺赛科。从事氮化镓器件的厂商主要有三安光电、闻泰科技、赛维电子、聚灿光电和赣照光电。 GAN技术的难点在于晶圆制备工艺,外延片去胶设备欧美日在这方面优势明显。由于熔化 GAN 晶体所需的气体压力非常高,因此使用外延技术来生长 GAN 晶体并制备晶片。其中,日本住友电工是全球最大的 GAN 晶圆制造商,占据 90% 以上的市场份额。

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这对促进有轨电车行业以及其他行业的节能减排起到了重大的积极作用。 SIC功率器件在新能源汽车及其配套领域具有巨大潜力。 (2)氮化镓氮化镓是一种在微波射频领域不断受到追捧的新材料。由于氮化镓衬底材料生长困难,外延片去胶主要通过在国外衬底上外延生长获得。蓝宝石是GAN早期使用的基板材料,也是一种比较成熟的材料。大多数用于光电应用的 GAN 设备都是通过该板制造的。

两种新衬底分别是 SI 和 SIC,外延片去胶机器GAN-ON-SI(硅上氮化镓)和 GAN-ON-SIC(碳化硅上氮化镓)。由于碳化硅和氮化镓的低晶格适应性,氮化镓材料自然可以在碳化硅衬底上生长出高质量的外延,当然制备成本也很高。 GAN材料在LED和RF领域都具有独特的优势。氮化镓具有高离子化、优异的断裂能力、更高的电子密度和倍率、更高的工作温度、更低的传导损耗和更高的电流密度等优点。

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