(去除阻焊油墨等残余物)9、LED领域：点银胶，附着力促进剂xp固晶前处理，引线键合前处理，LED封装，等离子清洗机去除少量污染物，加大粘合强度，减少气泡，提高发光率。10、IC半导体领域：半导体抛光晶片（Wafer）：去除氧化膜，有机物；COB/COG/COF/ACF等工艺中微观污染物清洁，提高密着性和可靠性。
没有通过等离子体处理的Si-C/Si-O光谱峰强度比（面积比）为0.87。经处理的Si-C/Si-O的XPS峰强度比（面积比）为0.21，密着剂与附着力促进剂有何区别比未经等离子体处理的低75%。湿处理表面的 Si-O 含量明显高于等离子体处理表面的 Si-O 含量。高能电子衍射（RHEED分析表明，等离子体处理后的SiC表面比常规湿法处理的SiC表面更光滑，处理后表面出现（1x1）结构。
另一方面，附着力促进剂xp由于氟的活性化学性质，XPS 和 FTIR 分析结果表明氟存在于填料和环氧树脂中。由于填料的等离子体氟化，氟很容易与氟结合。环氧树脂。这些基团发生反应，填料与聚合物基质紧密结合。粒径小的填料在基体中分散良好，填料之间的相互作用区趋于重叠，减少（减少）禁用区。填料的带宽增加了材料的电荷耗散方式，抑制了表面电荷的积累，减少了初始电荷积累，并在初始表面电荷较低时引起（减小）电场畸变。
等离子处理前后的石墨膜表面含有元素C和O，附着力促进剂xp但根据石墨膜的分子结构，未处理的石墨膜中不可能含有氧元素，但在全扫描中检测到石墨。本来薄膜中含有少量的氧元素，但起因是石墨薄膜在XPS之前处于大气环境中，空气中的杂质和水蒸气吸附在石墨薄膜表面引入氧...
