这些能量活性粒子在蚀刻过程中起着重要作用。与蚀刻前蚀刻相比，气相法二氧化硅的表面改性表面质量较低并分析原因。 ICP蚀刻辉光放电产生的活性粒子在基板表面扩散，引起化学反应，是挥发性产物，来不及解吸沉积在基板表面。此外，一些离子会物理冲击并破坏基板。表面网格排列会导致基材表面出现孔洞和点蚀，降低材料的表面质量。同时，由于硅和碳化硅的存在，原始衬底表面的结构并不均匀。
成峰智能plasma设备适用于清洗原材料和半成品每一步很有可能出现的杂物，气相法二氧化硅的表面改性以避免杂物干扰产品品质和下游设备特性。plasma设备用于单晶硅的生产、光刻、刻蚀和沉积，以及包装过程中的使用。铜引线框架经plasma设备处理后，可除去有(机)物和氧化层，同时活(化)和粗化表层，保证打线和封装的可靠性。
同样，纯硅的表面改性在高压蚀刻模式下，除了电子温度下降导致离子散射问题外，气体停留时间较长也会导致蚀刻均匀性较差，需要结合其他复杂的均匀性改善方法来解决。为了解决上述问题,满足严格的要求所带来的特征尺寸的不断减少,血浆传单可以采用类似于原子层蚀刻的方法,也就是说,氮化硅的表面处理与H或他或其他ionons改变表面膜的性质,然后用湿法蚀刻如稀氢氟酸溶液，选择性地去除变性的表面膜。
射频等离子体火焰处理器化学气相沉积(MPCVD)法制备金刚石，纯硅的表面改性MPCVD法的优势已经非常明显，世界高端金刚石基本上都是用MPCVD法制备的，与其他生长方法相比，MPCVD法具有无极性放电、生长速度快、金刚石杂质少等优点，是一种理想的金刚石生长方法。近年来，MPCVD技术取得了很大的进展，对金刚石沉积工艺参数影响的研究已经成熟。然而，对MPCVD器件谐振腔的研究还需要进一步的研究。
