经过多次实验，氨水对硅片表面的活化作用得出了用氧气和氩气处理的具体方案，并成功应用于后续的结合工艺。氧气和氩气都是非聚合物气体。等离子体与硅片表面的二氧化硅层相互作用后，这些活性原子和高能电子破坏了原有的硅氧键结构，使其不发生交联。表面上存在许多悬空键，因为被激活原子的电子结合能由于结合和表面活化而向更高能量方向移动，而这些悬空键与OH基团键合，以形式存在。形成稳定的结构。
广泛应用于印刷包装行业、光电制造行业、汽车制造行业、金属及涂装行业、陶瓷表面处理、电缆行业、狭窄塑料表面、数码产品表面、金属表面处理。。目前去除硅片表面颗粒的主要方法有两种:一种是标准洗涤(RCA)洗涤技术，硅片表面活化另一种是使用等离子洗衣机洗涤。在RCA洗涤技术中，大多数洗涤单元都是多槽浸渍洗涤系统。洗涤液1 (SC-1)(NH40H+H202)-HF+H20)液1和液2 (SC-2)(HCl+H202)。
与等离子刻蚀相比，氨水对硅片表面的活化作用湿法刻蚀工艺具有温度低、效率高、成本低的优点。湿法刻蚀工艺可以有效去除硅片上的磷硅玻璃和金属离子，钝化和清洗去除残留物。这提高了使用硅晶片的效率。与等离子蚀刻相比，湿法蚀刻系统是通过化学蚀刻溶液与被蚀刻物体之间的化学反应将其去除的蚀刻方法。大多数湿法蚀刻系统是各向同性蚀刻，不易控制。特点：适应性强，表面均匀，对硅片损伤小，几乎适用于所有金属、玻璃、塑料等材料。
目前用于等离子清洗机改性的反应性的气体有O2、N2、CO2、NH3和空气等，硅片表面活化非反应性气体有Ar、He等惰性气体。氨气(NH3)常温常压下为无色、有刺激性恶臭的剧毒气体，在空气中能发生爆炸燃烧。相对密度比空气轻，标准状况下，一体积水能溶解700体积氨气(饱和浓度35.28%)，氨水呈碱性，...
