我知道的是：表面激光合金化、喷丸、渗碳、氮化、镀膜，氮化硅的亲水性其实你要说得更详细一些，比如金属表面处理使金属强化方法或者耐腐蚀性增强等等，因为金属表面处理的方法很多，有的涉及物理变化，有的涉及化学变化，它们的金属表面处理目的是不一样的。如果用单指等离子表面处理器处理，如果是各种塑料，一般可以保持40小时左右，效果比较理想。特定的塑料制品需要特定的差异；如果是金属，可以保存40多个小时，但效果会越来越弱。。
因此，氮化硅的亲水性如果发现等离子体表面垫圈的侧壁蚀刻的主蚀刻步骤的终点监测被暴露，则立即停止蚀刻并切换过蚀刻步骤。主刻蚀步骤中残留的氮化硅膜通过过刻蚀步骤被刻蚀去除，同时停止在氧化硅膜上，以防止损坏下面的硅衬底。过蚀刻步骤通常使用 CH3F 或 CH2F2 和 O2 气体的组合。 CH3F 气体分解为 CHx 和 F. + H。等离子体中的撞击离子会破坏 Si-O 键。
由于氮化硅的流动性不如氧化物，氮化硅的亲水性蚀刻难度较大。等离子体表面处理机可以解决蚀刻的困难。等离子体蚀刻是通过化学或物理作用，或物理和化学作用的结合来进行的。在反应过程中,通过反应室中的气体辉光放电,从而形成含离子等离子体,电子、自由基等活性物质,这些物质由于其扩散特征,将吸附介质的表面,与介质的表面原子的化学反应,挥发物。
2021年GaN技术的发展趋势是什么？对此，氮化硅的亲水性GaN系统做出了四个预测： ■ 预测一：充电器和适配器领域回顾2020年，今年是氮化镓充电器之年。在售后市场方面，有用于手机、平板电脑和手持游戏设备的各种充电器和适配器。随着多端口适配器的兴起，到 2021 年，OEM 将越来越多地采用 GaN 充电器。
