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硅片蚀刻边缘发黑

由于其高硬度,硅片蚀刻加工可以在晶圆表面形成非常薄的氮化硅薄膜(在硅片加工中,使用最广泛的单位是埃),厚度约为几十埃,以保护外观,避免划伤。此外,其优异的绝缘强度和抗氧化性也能达到良好的隔离效果。氮化硅的缺点是它的流动性比氧化物少,难以蚀刻。等离子体刻蚀可以克服刻蚀的困难。等离子蚀刻机是通过化学或物理或化学结合来实现的。

另一种常见的结构是盘香味结构,硅片蚀刻的目的它使用了平面卷线圈类型如下图所示。另外还有一种特殊的盘香味结构,是将线圈加入到电离体中的放电型,其结构如下图所...

硅片蚀刻机(硅片蚀刻边缘发黑)硅片蚀刻机器

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3、PDMS芯片键合仪等离子表面处理应用,氧等离子提高PDMS与和硅片或玻璃片的键合牢固性

4、离子注入表面改性属于(硅片离子注入机表面改性)

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