当由于光刻工艺的限制，科目四隧道内附着力减小逻辑电路的极限降低到45NM/40NM以及更先进的工艺技术节点时，工艺集成通常要求蚀刻后的接触孔极限降低40NM左右。 （尺寸偏移）我们开始使用多层掩模蚀刻技术，与蚀刻前的尺寸相比。在接触孔蚀刻工艺中，如此显着的尺寸减小对在高纵横比的情况下确保接触孔开口提出了挑战，并且尺寸变化通常主要通过富含聚合物的蚀刻工艺来实现。
在这段时间内，科目四隧道内附着力减小没有电流流过寄生电感，因此没有感应电压。通常两个或多个电容器并联放置，以减小电容器本身的串联电感，从而降低电容器充放电电路的阻抗。注意事项：电容器放置、设备间距、设备方式、电容器选择。。低温等离子体电源氢等离子体对硅衬底表面的原位清洗；硅表面清洗技术包括两部分：衬底装入沉积系统前的非原位表面清洗和外延前的原位表面清洗。
等离子体是物质的一种状态，隧道内附着力的意思也叫物质的第四状态。施加足够的能量使气体电离，就变成了等离子体状态。等离子体的“活性”成分包括：离子、电子、活性基团、激发核素（亚稳态）、光子等。等离子体清洗机就是通过这些活性成分的特性对样品的表层进行加工，从而满足清洗的需要。等离子体和固体、液体或气体一样，是物质的一种状态，也叫物质的第四态。施加足够的能量使气体电离，就变成了等离子体状态。
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