硅片的制作可以概括为三个基本步骤：硅精制提纯、单晶硅生长和硅片成形。
另外由于三维立体鳍部的存在，涂层附着力测量步骤其顶部以上部分和顶部以下部分的多晶硅栅蚀刻环境有所不同，因此等离子表面处理仪蚀刻过程中为了形成理想的多晶硅栅剖面形貌， 通常会把高选择比的软着陆步骤拆分成几步以达到优化多晶硅剖面形貌的目的。由于源漏极的外延直接在鳍部形成，如此便意味着FinFET的多晶硅蚀刻中的鳍部损耗相比平面结构的衬底硅的损耗变得不是特别重要。
另外，涂层附着力测量步骤由于3D 3D鳍片的存在，上下多晶硅栅的刻蚀环境不同，所以为了形成理想的多晶硅栅轮廓，通常采用等离子表面处理设备的刻蚀工艺。用过的。软着陆步骤分为几个步骤，以达到优化多晶硅外形的目标。由于源极和漏极外延层直接形成在鳍片上，这意味着在 FinFET 多晶硅蚀刻中鳍片的损失不如平面衬底硅的损失重要。
等离子清洗机/等离子处理机/等离子处理设备广泛应用于等离子清洗、等离子刻蚀、等离去胶、等离子涂覆、等离子灰化、等离子处理和等离子表面处理等场合。
涂层附着力测量步骤