一般来说，粗糙度和亲水性粒子污染物和氧化物是用5%H2 + 95%AR的混合等离子体进行净化的。氧等离子体可以去除镀金芯片中的有机物，但不能去除银芯片中的有机物。选择合适的等离子清洗工艺在LED封装应用中大致可分为以下几个方面:1)点银胶前:基片上的污染物会导致银胶呈球形，不利于贴片，易粘片等离子清洗可以大大提高工件的表面粗糙度和亲水性，有利于瓦银胶和切屑的粘附。同时大大节省银胶用量，降低成本。
微电子封装中等离子清洗工艺的选择取决于后续工艺对材料表面的要求、材料表面原有特性的化学成分以及底漆的性质。常用于等离子清洗气体氩气、氧气、氢气、四氟化碳及其混合物。等离子清洗技术应用选择。小银胶村底：污染物使胶体银呈球形，膜的粗糙度和亲水性关系不鼓励芯片粘附，更容易刺穿芯片。高频等离子清洗可用于显着改善表面粗糙度和亲水性。银胶体和贴瓦片的用量，同时使用银胶的用量，可以节省银胶，降低（低）成本。
试验表明，膜的粗糙度和亲水性关系这种表面处理方法能准确、有针对性地改善材料的表面性能。材料表面形貌发生了显著变化，引入了多种含氧基团，使表面由非极性、不易粘接转变为一定极性、易粘接、亲水性，有利于粘接、涂布和印刷。。采用等离子清洗设备可大大改善工件的表面粗糙度和亲水性；前点A银胶：基板上的污染物会导致银胶呈球形，不利于贴片，人工刺片容易造成损伤。
小银胶村底：污染物会导致胶体银呈球形，膜的粗糙度和亲水性关系不利于贴片，易刺伤芯片。使用RF等离子清洗可大大改善表面粗糙度和亲水性，有利于银胶体和瓷砖贴屑。同时，使用量可节省银胶，降低成本。拱形键合：芯片与基板键合前和高温固化后，存在的污染物可能含有微粒和氧化物，这些污染物铅的物理化学反应和芯片与基板的焊接不完全，键合强度差，附着力不足。引线键合前，射频等离子体清洗可显著提高键合引线的表面活性、键合强度和抗拉强度。
表面粗糙度和亲水性
高频等离子法显着提高工件的表面粗糙度和亲水性，促进银胶平铺和片材粘合，显着减少银胶用量，降低成本。 2）引线连接前的低温等离子处理器：芯片基板高温固化后，基板上的废料可能含有颗粒和氧化物。这些废物的物理和化学作用导致导线与芯片和基板之间的键合不完全或不充分，从而导致连接强度不足。射频等离子处理显着提高了引线键合前的表面活性，提高了键合强度和拉伸均匀性。
封装工艺直接影响引线框架芯片产品的良率。芯片和引线框架上的颗粒污染物、氧化物和环氧树脂是整个封装过程中问题的第一大原因。根据这些不同污染物的不同世代，可以在不同工艺之前加入不同的等离子清洗工艺，其应用通常分散在点胶、引线键合和塑封之前。晶圆清洗：去除残留的光刻胶。银胶封装和分布前：工件的表面粗糙度和亲水性大大提高，有利于银胶的绑扎和芯片键合，大大节省了银胶的使用，成本可以降低。
为解决这一问题，某公司在海绵体中引入磁性橡胶，在海绵体上涂上一层磁性涂层，或者增加一条与金属材料直接连接的磁条，一种新型的密封框架型材产生磁吸作用，提高海绵体的密封功能。这类车用密封胶条的界面张力很低，以至于使用绒布、植绒布、PU涂层和（有机）硅涂层技术使得这些涂层工艺中材料的粘合难度增加。手动分段磨削工艺通常用于改善橡胶条的表面粗糙度和施加底漆，这在制造过程中需要时间和精力，并且制造能力较低。
高分子材料的界面性能可以提高材料表面的润湿性，利用等离子体去除零件表面的污染层，从而提高涂层性能或多个零件之间的粘合性能可以得到改善。等离子体的可靠性很大程度上取决于等离子体对材料表面物理化学性能的改善。除了薄弱的界面层或通过增加粗糙度外，它还增加了化学活性，然后增强了两个表面之间的润湿性和粘附性。随着等离子清洗技术和设备的发展，清洗成本将不断降低，清洗效率将进一步提高。
膜的粗糙度和亲水性关系
但是由于玻璃纤维的表面光滑，粗糙度和亲水性缺少含氧基团，使其与SiO2气凝胶的机械嵌合程度以及化学键合程度不高，因此复合材料中SiO2气凝胶对玻璃纤维的附着性差，进而导致复合材料掉渣，绝热性能下降。目前，许多研究表明O2等离子体处理玻璃纤维，可以提高玻璃纤维的表面能并引入大量的含氧极性基团(－COOH、－OH)，增大玻璃纤维表面的粗糙程度，进而改善表面的润湿性以及对SiO2气凝胶的粘结强度。
清洗后水滴夹角小于5度，表面粗糙度和亲水性为下一步工序打下了良好基础。阳极表面改性；利用等离子体技术对ITO阳极进行表面改性，可有效优化其表面化学成分，大幅降低阻塞电阻，从而有效提高能量转换效率，改善器件的光伏性能。涂层保护膜的预处理；硅片表面很亮，会反射大量阳光。因此，需要在其上沉积一层反射系数非常小的氮化硅保护膜。利用等离子体技术，可以活化硅片表面，大大提高其表面附着力。
