GHZ）是化学反应，二氧化硅刻蚀速度高频等离子体（激发频率，13.56MHZ）包括物理化学双反应类型。 (2)工作气体的种类也影响等离子清洗的种类。例如，AR2、N2等形成的等离子体常用来进行物理清洗，通过冲击来清洗产品表面。形成等离子体。常用的反应气体如 O2 和 H2。化学清洗、活性自由基和污染与物质（主要是碳氢化合物）发生化学反应，形成一氧化碳、二氧化碳和水等小分子，这些小分子会从产品表面去除。
高频等离子体（激发频率，二氧化硅刻蚀不均匀为啥13.56MHZ）包括物理化学双反应类型。 (2)工作气体的种类也影响等离子清洗的种类。例如，AR2、N2等形成的等离子体常用来进行物理清洗，通过冲击来清洗产品表面。形成等离子体。在化学清洗中，活性自由基与污染物（主要是碳氢化合物）发生化学反应，形成一氧化碳、二氧化碳和水等小分子，从表面去除。产品。 (3)等离子清洗系统的清洗方式影响清洗(效果)效果。
CH4和二氧化碳作为等离子清洗剂的原料，二氧化硅刻蚀不均匀为啥生成C2烃复合反应 CH4和二氧化碳作为等离子清洗剂的原料，生成C2烃类。二氧化碳加氢的第一个完全还原产物是 CH4，部分还原产物是 C2 烃。其次，CH4的完全氧化产物是二氧化碳，部分氧化产物是C2烃，中间产物是CHX。这两个反应是相互可逆的。例如，CH4和二氧化碳同时活化，即二氧化碳的存在，有利于CH4的部分氧化，而CH4的存在则抑制了二氧化碳的显着还原。
, 共同作用促进了 C2 烃类的形成。对作为氧化剂的二氧化碳与 CH4 偶联反应的影响的调查取决于：首先，二氧化硅刻蚀速度我们提出了一种解决 CH4 活化困难的方法，并提供了一种最大限度地利用气体的有效方法。通过使用二氧化碳，您可以减少温室气体排放。因此，本次讨论具有重要的学术价值，范围广泛。应用前景广泛。已经报道了由二氧化碳氧化CH4生产C2烃的路线。
二氧化硅刻蚀速度
讨论的结果是，重组反应的主要产物是合成气，它是少量的碳氢化合物（主要是 C2H6）。但在DBD放电等离子等离子体的作用下，CH4的反应产物转化和二氧化碳复合反应相对较低，反应能耗较高。 LI等人分别研究了在直流和交流电晕放电作用下CH4和二氧化碳的复合反应。
直接法是在CH4和二氧化碳步骤中制备C2烃，反应可以在微波、流柱放电和高频等离子体的作用下实现。 LIU 采用流柱发射泡沫，以 HE 作为平衡气体（占总气体流量的 60%-80%）在特定发射功率下，取决于二氧化碳与 CH4 的摩尔比差异。甲烷转化率20%～80%，二氧化碳转化率8%～49%，C2烃收率20%～45%。在等离子清洗机的作用下，CH4和二氧化碳直接转化，一步制取C2烃。
该反应的主要 C 烃产物是 C2H2 和 C2H6，它们增加了等离子体输出。生成 C2H2 是有利的。等离子清洗机实现了二氧化碳氧化CH生成C2烃的反应，甲烷转化率为31%，二氧化碳转化率为24%，C2烃选择性为64%。
等离子处理器功率密度对产品甲烷和 CO2 转化率、C2 烃和 CO 产率的影响 甲烷和 CO2 转化率、C2 烃产率和 CO 的影响。甲烷和二氧化碳的量随着功率密度的增加而增加。这意味着增加等离子处理器的功率并降低供应气体的流速。也就是说，它增加了功率密度。这是 CH 和 CO2。在 2,200 KJ/MOL 的功率密度下，甲烷和 CO2 的转化率分别为 43.6% 和 58.4%。
二氧化硅刻蚀
提高功率密度有利于提高甲烷和二氧化碳的转化率，二氧化硅刻蚀但两者都甲烷 CH 键断裂 (4.5EV) 和 CO2 CO 键断裂 (5.45EV) 的两种作用并不相同。如果功率密度小于1500 KJ/MOL，在同样的实验条件下，甲烷的转化率会高于CO2的转化率。也就是说，系统中高能电子的平均能量随着功率密度的降低而降低。 , 并且甲烷中大部分电子和 CH 键的平均能量较低。
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