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1879 年,贵州rtr型真空等离子清洗设备批发英格兰的 W. Crooks 使用术语“物质状态 4”来描述气体放电管中的电离气体。一、美国朗缪尔于1928年首次引入等离子体一词,等离子体物理学正式起步。 1929年,美国的L. Tonks和Langmuir指出了等离子体中电子密度的密度和密度波(即Langmuir波)。太空等离子体的探索也始于 20 世纪初。

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对于III-V化合物,IMEC(微电子研究中心,成员包括Intel公司、IBM公司、台积电公司、三星公司等半导体业界巨头)很早以前已经宣布成功在等离子体蚀刻300mm(22nm)晶圆上整合磷化锢和砷化锢家,开发出 FinFET化合物半导体。

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