GaCl3 和 AsCl3 都是高度挥发性的,PFCplasma刻蚀机但 AlCl3 的挥发性较低,会影响进一步的蚀刻。氟的用量会影响 InAIA 的蚀刻速率。增加含氟气体的流速会显着改变铟铝砷和铟镓砷的选择性。使用 CHF3 和 BCl3 气体的组合,或 CF4 和 BCl3 的选择性,增加了一倍以上。压力和高频功率对两种气体组合蚀刻速率的影响:压力越高,蚀刻速率越低。

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根据等离子的产生机理,PFCplasma刻蚀机等离子清洗方式主要有直流等离子清洗、高频等离子清洗、微波等离子清洗三种,在实际应用中必须根据具体情况进行选择和使用。 等离子清洗法的优点是采用等离子清洗,不污染环境,不需要清洗液,清洗效果好,清洗效率高。它还可以激活物体的表面并增加表面。提高润湿性和附着力。加强。

在大型集成电路和分立器件行业,PFCplasma刻蚀机等离子清洗技术常用在以下几个重要步骤: 1.用氧等离子体处理剥离和硅晶片以去除光刻胶。混合电路键合前的等离子清洗; 4. 5、粘接前等离子清洗; 6. 金属化陶瓷管封盖前等离子清洗;等离子清洗技术设备的可控性和重现性体现在设备使用中具有经济、环保、高效、可靠性高、操作方便等优点。

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这是新的欧盟政策标准对 GaN 半导体产品在消费市场上的成功与电源适配器和音频、电动汽车设计实验室中 GaN 技术的更新和重启以及数据中心的能源效率的结果。 GaN 技术可以有效地解决将功率密度预期与产品可靠性相结合的关键行业成就。到 2021 年,GaN 技术将进一步展示其在汽车、数据中心和消费电子产品等各种电力依赖市场中从早期采用到坚固支架的成功过渡。

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