由于阈值电压的降低，电晕处理机的技术提高了HEMT器件的饱和电流和跨导，实验值与理论值一致。经电晕清洗设备氧电晕处理后，样品的a和Va均有所下降。从而提高了器件的饱和传导电流，改善了器件的电特性。HEMT中对AlGaN表面进行氧电晕处理，可以有效降低器件电压，提高器件饱和区电流，改善器件大跨导，可有效应用于高性能GaNHEMT器件的制备。。
不同气体的电晕具有不同的性质，电晕处理机的技术如氧电晕氧化性高，可氧化光刻胶反应产生的气体，从而达到清洗效果；刻蚀气体电晕具有良好的各向异性，因此可以满足刻蚀的需要。采用电晕处理技术的真空电晕清洗设备会产生辉光，故称辉光放电处理。真空电晕清洗设备清洗样品表面并使其活化。通过加入特殊气体和加工工艺，使样品达到亲水和疏水的效果。
但需要解决的问题是LCM工艺中存在大量树脂浸渍纤维，电晕处理机的技术产品表面存在空洞和干斑。说明树脂在纤维表面的润湿性将直接影响LCM的成型工艺和制品性能。可考虑采用电晕清洗技术，改善纤维表面的理化性能，增加预制件中纤维的表面自由能，使树脂在相同工艺条件（压力场、温度场等）下充分浸渍纤维表面，提高浸渍均匀性，改善复合材料液态模塑的工艺性能。。电晕清洗可用于电子工业，以提高封装的附着力。
电晕加工技术是集成电路芯片制造领域中一项成熟且不可替代的技术。无论是芯片源离子注入、镀晶还是低温电晕设备，件电晕处理机薄膜表面处理机都可以实现一面超净化，如去除氧化膜、有机物、掩膜等。增加湿度。在半导体工业的生产过程中，硅片上组件表面的感光有机材料制成的光刻胶是用电晕清洗的。在沉降过程开始前，必须用热硫酸和过氧化氢溶液或其他有毒有机溶剂对剩余的光刻胶进行清洗脱胶，这样会造成环境污染。
电晕处理机的技术
它是非固态、液态和气态。电晕属于宏观电中性电离气体，其启动运动主要受电磁力支配，并表现出明显的集体行为。低温电晕的电离率低，电子温度远高于离子温度，离子温度甚至可以相当于室温。因此，低温电晕是非热平衡电晕。低温电晕中存在大量活性粒子，它们比普通化学反应产生的粒子种类更多、活性更强，更容易与材料表面发生反应，因此被用来修饰材料表面。
射频电晕清洗技术在DC/DC混合电路生产中有两种应用。第一类主要是去除处理对象表面的异物层，如污染层、氧化层等；第二类主要是改善物体的表面状态、表面活性和表面能。去除背面银芯片硫化物的单层或多层金属化结构的背面金属层芯片的表面金属通常是金和银。背银的芯片易发生银的硫化氧化，这将直接影响芯片的安装质量。
氧电晕的形成过程可用以下六个反应方程式表示：O2-O2+e(1)O2-2O(2)O2+E-O2+E(3)O2+E-O2+hv+e(4)O2+E-2O+e(5)O2+e--O+O++2E(6)第一个方程表示氧分子获得外部能量后变成氧阳离子，释放自由电子的过程。第二个方程表示氧分子获得外部能量后分解形成两个氧原子自由基的过程。第三个方程表明氧分子在高能激发自由电子的作用下转变为激发态。
即使隔膜吸碱速率降低，总吸碱速率变化不大。随着空气流量的增加，活化电晕状态升高，接枝聚合速度加快的丙烯酸较多。因此，聚丙烯隔膜的碱吸收率和碱吸收率逐渐增大。但在放电功率保持不变的情况下，气体流量的增加导致气体的高密度，使得单个带电粒子的能量变小，同时对粒子之间的碰撞造成更多的能量损失，这就决定了丙烯酸聚合沉积的作用。
件电晕处理机薄膜表面处理机
低温电晕技术对钒催化剂载体硅藻泥性能参数的改性研究；低温电晕在离子温度和离子通道方面与高温电晕不同。低温电晕的电子运动温度高达10～10K，件电晕处理机薄膜表面处理机而气体离子和中性离子的温度接近环境温度，远低于电子运动温度。因此，低温电晕又称为非平衡电晕。低温电晕可在常温常压下生产，工业应用前景广阔。
