因为氮化硅侧墙蚀刻可以停止在下面的氧化硅层上，亲水性处理后接触角所以不会对硅有影响 这样的侧墙也叫氮化硅侧墙或者氧化硅/氮化硅(Oxide SiN，ON)侧墙。到了0.18μm时代，这个氮化硅侧墙的应力太大，会造成饱和电流降低，漏电增加。为了降低应力，需要提高沉积温度到700℃，量产的热成本将会提高，同样会增加漏电。因此在0.18μm时代选用ONO侧墙。
由于低气压等离子体为冷等离子体，亲水性处理后接触角当气压为 133～13.3帕左右时，电子温度高达 00开，而气体温度只有300开，既不致烧坏基体，又有足够能量进行表面处理。 低气压等离子体发生器已日益广泛应用于等离子体聚合、制备薄膜、刻蚀、清洗等表面处理工艺中。等离子体发生器成功的例子如：在半导体制作工艺中，采用氟里昂等离子体干腐蚀，用离子镀法在金属表面生成氮化钛膜等。
等离子辅助清洗技能是一种先进的制造行业中的精密清洗技能，亲水性处理后接触角在很多工业领域都可以使用到这种清洗技能，下面为大家介绍等离子清洗机在半导体制造中的使用清洗技能。化学气相沉积(CVD)和蚀刻技术广泛应用于半导体加工。CVD可用于积累多晶硅、氮化硅、二氧化硅和金属薄膜(如钨)。此外，电路中用于连接效果的微级管和细导线也采用CVD工艺在绝缘层上制作。在CVD过程中，部分残留物会在反应室壁上积累。
图3是LED厂商氧化后的LED批次等离子清洗前后对比图，亲水性处理后接触角图4是LED厂商等离子清洗前后LED批次的键合线拉力对比图。等离子清洗后芯片和基板清洗效果的另一个指标是表面穿透特性。在部分产品的实验测试中，未经等离子清洗的样品接触角约为40°～68°，经等离子反应机理化学清洗表面的样品接触角约为10°～15°。通过物理反应机理等离子清洗过的样品的接触角约为20°至28°。清洁效果因制造商、产品和清洁工艺而异。
亲水性处理后接触角
电晕放电产生的大量等离子体气体和臭氧直接或间接地与塑料表面的分子相互作用，使塑料表面的分子链导致极性基团。电晕处理后，接触角减小，表面张力增大，并随处理时间、处理电压和电流的增加而增大。经电晕处理后，塑料的印刷和粘接性能明显改善。电晕处理后，塑料表面由光滑变为粗糙，表面有大量细小孔隙。
制造商需要了解增加等离子清洗机表面附着力的五个因素： 1）等离子清洗机的表面粗糙度：当粘合剂很好地渗透到粘合剂表面时（接触角90°），表面粗糙度有助于提高表面与粘合剂液体的润湿程度，并增加粘合剂与被粘材料之间的接触。点的密度，从而增加粘合强度。反之，如果粘合剂没有很好地渗透到粘合剂中（∩>90°），表面粗糙度不会提高粘合强度。
如汽车上的一些零件，一般选用的材料是PP + GF，材料表面附着应力低、耐热、耐磨、韧性好，但材料本身抗腐蚀能力不高，所以在后续的工艺过程中需要在材料的表面喷涂耐腐蚀层，由于材料本身粘结性低，表面处理采用等离子表面处理机，喷涂上后续的牢度，可以有效的保证;如不锈钢保温杯，在喷涂前，需要进行多道酸洗工艺，保证不锈钢表面的污染物能够得到有效的清洗，使用等离子表面处理设备，可以代替喷涂前的酸洗工艺。
3.检查燃气管道真空严密性定期检查燃气管道真空密封是否连接严密，还要检查真空系统的完整性，及时发现问题，及时处理。4.检查真空室清洁度定期检查真空室的清洁度。连续使用一定时间后，会有残留污垢。用沾有酒精的无尘布定期清洁真空室。等离子清洗设备广泛应用于等离子清洗、蚀刻、等离子电镀、等离子镀膜、等离子灰化和表面改性等领域。要把等离子清洗机用到极致，就必须同时对其进行保养，这样才能达到更好的效果，延长其使用寿命。
亲水性处理后接触角
等离子表面处理机，氮化硅表面的亲水性处理新型印刷包装前辅助设备 等离子清洗机目前广泛应用在电子，通信，汽车，纺织，生物医药等方面。
