不同有源区宽度下，漆膜附着力试验机qfz光板多晶硅及有表面形貌的多晶硅在曝光及蚀刻前后特征尺寸的差异，可见有源区宽度不同，等离子表面处理机蚀刻过程的蚀刻偏差(Etch Bias)也会存在差异。。
正的台阶高度下，测漆膜附着力试验板尺寸在经过等离子表面处理机多晶硅栅蚀刻的主蚀刻步骤后，位于浅沟槽隔离区的多晶硅栅的侧壁明显要比有源区倾斜，特征尺寸也明显比有源区大。 即使等离子表面处理机主蚀刻步骤采用了产生较少聚合副产物的气体，仍然无法在浅沟槽隔离区形成垂直的栅极侧壁，并且这种侧壁的差异会保留到全部蚀刻完成。靠近浅沟槽隔离的多晶硅栅的侧壁角度只有86°，而位于有源区中央的多晶硅栅侧壁角度达到89°。
施加到电极上的负偏压与射频电压一起形成复合电压，测漆膜附着力试验板尺寸如下图所示。图 4. 电极上的直流和交流波形 2.1 对 VDC 元件的影响 2.1.1 混响腔尺寸和蚀刻模式 VDC 是电极和等离子体之间的电压降。 A1为电极1的面积。 ，A2为电极2的面积，N为指数因子，通常为1，如果电极1通电，电极2接地，这个方程是任意的，其VDC组成如下图所示。可以应用到电极结构。
处于等离子体状态的物质有以下几种：高速运动的电子；处于活化状态的中性原子、分子和原子团（自由基）；电离原子和分子；未反应的分子、原子等，测漆膜附着力试验板尺寸但物质作为一个整体保持电中性。在真空室内通过射频电源在一定压力下产生高能无序等离子体，用等体子体轰击被清洗产品表面，达到清洗的目的。
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等离子体的活性成分包括离子、电子、活性官能团、激发核（亚稳态）、光子等。等离子清洁剂利用这些活性成分的特性来处理样品表面，从而达到清洁目的。等离子清洗机中产生等离子的装置是将两个电极放入密闭容器中，产生电场，然后通过真空泵达到一定的真空度。蒸气越薄，分子与分子或离子之间的自由运动距离越长。它们在电场的作用下碰撞形成等离子体。它们具有高反应性和高能，可以破坏几乎所有的化学键并在暴露的表层中引起化学反应。
等离子清洗机可用于清洗、刻蚀、活化和表面准备等,可选择40KHz、13.56MHz和2.45GHz三种射频发生器,以适应不同的清洗效率和清洗效果需要。等离子体和固体、液体或气体一样,是物质的一种状态,也叫做物质的第四态。对气体施加足够的能量使之离化便成为等离子状态。等离子体的"活性"组分包括:离子、电子、活性基团、激发态的核素(亚稳态)、光子等。
图1-5（a）显示了单间隙单介质阻挡放电反应器的结构。其特点是电介质与高压电极相连，放电区位于接地电极和电介质之间。它结构简单，常用于产生臭氧。图1-5（b）显示了双间隙单介质势垒放电反应器的结构。其特点是等离子清洗器与介质的上下电极各自形成两个不同的反应区，一般用于产生两种不同成分的等离子体。图1-5(c)显示了单间隙双介质势垒放电反应器的结构。其特点是两层电介质之间发生反应。
离子轰击破坏清洁后的表面，削弱化学键，形成原子态，容易吸收反射体。正离子碰撞加热被清洗的物体，容易反射。。常用的等离子体激励频率有三种：激励频率为40kHz的超声等离子体、激励频率为13.56MHz的射频等离子体和激励频率为2.45GHz的微波等离子体。
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