UHF射频源在原理上可以实现IED方向较窄的离子能量峰，cpp电晕处理功率有助于高刻蚀选择比的实现。但UHF射频通常会带来驻波效应，影响电晕均匀性，尤其是在大尺寸晶圆上。目前IED方向的改良型商用机包括东京电子公司开发的CCP机，采用负直流脉冲作为上电极，主要用于超高长宽比存储器中电介质材料的蚀刻。其机理是当射频同步脉冲关断时，增加了直流量，从而增加了离子轰击能力和电荷中和能力。
蚀刻机原理电感耦合电晕刻蚀(ICPE)是化学过程和物理过程共同作用的结果。其基本原理是在真空低气压下，电晕处理功率计算公式ICP射频电源产生的射频以一定份额输出到环形耦合线圈；混合蚀刻气体通过耦合辉光放电产生高密度电晕。在MI电极RF射频的作用下，这些电晕外壳衬底表面，衬底图形区半导体数据的化学键断裂。挥发性物质随蚀刻气体产生，以气体形式离开基板并从真空管路抽走。蚀刻机与光刻机的区别蚀刻比光刻容易。
同时，cpp电晕处理功率由于离子发散的方向性，侧壁侧壁角的一致性难以控制。因此，用于硅刻蚀的电感耦合电晕(ICP)高密度电晕设备已逐渐应用于氮化硅侧壁刻蚀。由于ICP设备可以在低压范围内工作，离子方向性好，散射小。同时，气体在腔内停留时间短，刻蚀均匀性好。而且在蚀刻过程中采用腔体预沉积功能，即在蚀刻每片晶圆前在腔体上沉积薄膜，蚀刻后去除腔壁上的薄膜。从而保证了晶圆蚀刻时腔体环境的一致性，大大提高了蚀刻过程的稳定性。
电晕处理技术电晕中特定颗粒的热量一般接近或超过C-C或其他碳键的键能，电晕处理功率会改善高分子材料表面，引起原材料表面复杂的物理化学变化，如刻蚀、化学交联等，从而提高高分子表面的接触角和附着力。电晕清洗技术提高了电晕放电的输出功率，增加了电晕气氛中特定颗粒的数量和热量，强化了样品表面特定颗粒的蚀刻，减小了样品表面的接触角，提高了样品表面的润滑性。。
