3、半导体去胶技术——晶圆等离子去胶工艺,去除光刻胶、污染物、残余物和其他无用杂质 等离子干法去除光刻胶工艺利用高能等离子体处理光刻胶表面,去胶彻底且速度快,不需引入化学物质,减少了对晶圆材料的腐蚀和损伤,是现有去胶工艺中最好,有效且高效的半导体光刻胶去除工具,具有高效、均匀、无损伤等特点。...