我们的侧壁刻蚀是回刻蚀，测附着力的几种方法各向异性刻蚀，可以理解为相当于只向下刻蚀，没有或几乎没有侧刻蚀，所以如果刻蚀量为厚度a，栅极只剩下侧壁在的侧壁上.想。对于主侧壁，其宽度是LDD的长度，由沉积膜的厚度决定。当然，蚀刻本身也会影响侧壁的宽度。在亚微米时代，硅酸四乙酯氧化硅（TEOS 氧化硅）直接沉积在栅极上，之后在源极和漏极硅处停止蚀刻以形成侧壁。这种方法的问题在于它会导致硅损坏。
这种方法需要 BGA 在高温下熔化，如何用胶带检测法测附着力并可能对 BGA 造成热损坏。此外，需要添加额外的清洁过程。此外，由于使用了活性助焊剂，因此必须完全清除所有助焊剂残留物。这使过程复杂化。 (2) 取下 BGA 焊球并重新连接。植球过程复杂、困难、耗时，并且需要在 BGA 中进行两次加热。加热两次会对 BGA 的内部电路产生不利影响。另外，工作效率低，不适合大批量生产。而且，植球成功率不是很高。 (3)高温氢气用于还原。
滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，测附着力的几种方法从而控制化学试剂在整个基材上的分布。提供高重复性、高均匀性和先进的超声清洗、超声辅助光刻胶剥离和湿法蚀刻系统。湿法蚀刻是一种常用的化学清洗方法。其主要目的是将硅片表面的掩模图案正确地复制到涂覆的硅片上，以保护硅片的特殊区域。从半导体制造业开始，硅片制造就与湿法刻蚀系统密切相关。
和物理反应相比较，如何用胶带检测法测附着力化学反应的缺点不易克服。并且两种反应机制对表面微观形貌造成的影响有显著不同，物理反应能够使表面在分子级范围内变得更加“粗糙”，从而改变表面的粘接特性。
如何用胶带检测法测附着力
