我们的侧壁刻蚀是回刻蚀,测附着力的几种方法各向异性刻蚀,可以理解为相当于只向下刻蚀,没有或几乎没有侧刻蚀,所以如果刻蚀量为厚度a,栅极只剩下侧壁在的侧壁上.想。对于主侧壁,其宽度是LDD的长度,由沉积膜的厚度决定。当然,蚀刻本身也会影响侧壁的宽度。在亚微米时代,硅酸四乙酯氧化硅(TEOS 氧化硅)直接沉积在栅极上,之后在源极和漏极硅处停止蚀刻以形成侧壁。这种方法的问题在于它会导致硅损坏。

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这种方法需要 BGA 在高温下熔化,如何用胶带检测法测附着力并可能对 BGA 造成热损坏。此外,需要添加额外的清洁过程。此外,由于使用了活性助焊剂,因此必须完全清除所有助焊剂残留物。这使过程复杂化。 (2) 取下 BGA 焊球并重新连接。植球过程复杂、困难、耗时,并且需要在 BGA 中进行两次加热。加热两次会对 BGA 的内部电路产生不利影响。另外,工作效率低,不适合大批量生产。而且,植球成功率不是很高。 (3)高温氢气用于还原。

滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力,测附着力的几种方法从而控制化学试剂在整个基材上的分布。提供高重复性、高均匀性和先进的超声清洗、超声辅助光刻胶剥离和湿法蚀刻系统。湿法蚀刻是一种常用的化学清洗方法。其主要目的是将硅片表面的掩模图案正确地复制到涂覆的硅片上,以保护硅片的特殊区域。从半导体制造业开始,硅片制造就与湿法刻蚀系统密切相关。

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