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等离子体蚀刻对PID的影响:等离子体诱导损伤(Plasmae Induced Damage, PID)是指在IC制造过程中，对pe基材的附着力各种等离子体工艺引起的MOSFET性能偏差。在等离子体环境中，放电产生大量的离子和电子，离子由于电极电位或等离子体自偏置而加速向晶圆表面移动，对衬底进行物理轰击，促进表面的化学反应。
由此可见, 低温等离子体的能量高于这些化学键的能量, 足以使PTFE表面的分子键断裂, 发生刻蚀、交联、接枝等一系列物理化学反应。 在低温等离子体表面处理过程中, 利用各种非聚合性气体 (Ar、He、O2、...
