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等离子体蚀刻对PID的影响:等离子体诱导损伤(Plasmae Induced Damage, PID)是指在IC制造过程中，对pe基材的附着力各种等离子体工艺引起的MOSFET性能偏差。在等离子体环境中，放电产生大量的离子和电子，离子由于电极电位或等离子体自偏置而加速向晶圆表面移动，对衬底进行物理轰击，促进表面的化学反应。
由此可见, 低温等离子体的能量高于这些化学键的能量, 足以使PTFE表面的分子键断裂, 发生刻蚀、交联、接枝等一系列物理化学反应。 在低温等离子体表面处理过程中, 利用各种非聚合性气体 (Ar、He、O2、N2、H2O、空气等) 放电, 产生相应等离子体对PTFE表面进行活化和功能化是目前的研究热点。 按是否参加材料表面的化学反应, 等离子气体可分为反应性气体和非反应性气体。
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总的来说，整个过程就是气体不断电离和不断复合的过程，其目的是保证整个反应的不断进行，从而使PI表面粗糙化，对PI表面进行改性来实现。带FPC在B组装过程中，需要在PI覆盖膜上贴附增强材料，以提高增强材料与PI之间的粘合强度。如果加强面不能加工，需要对PI面进行粗化以保证可靠性。要求。要求。使用等离子清洗机处理 PI 表面具有以下特点： (1)等离子清洗后的PI表面已经非常干燥，不需要进一步的干燥过程。
在FPCB组装过程中，会在PI覆盖膜上组装补强层，这需要提高补强层与PI之间的结合力，并对面层进行补强当无法加工时，应对PI表面层进行粗化和修改，以满足可靠性的最终要求。
是物质的第四种状态。一般来说，人们普遍认为物质有三种状态：固体、液体和气体。这三种状态之间的区别取决于物质中所含能量的大小。气态是物质三种状态中能量最高的状态。给气态物质更多的能量，比如加热，就会形成等离子体。当它们达到等离子体状态时，气态分子分裂成许多高活性粒子。这些裂变不是永久性的。一旦用于形成等离子体的能量消失，各种粒子就会重新组合形成原来的气体分子。
这两种电介质的化学键能非常高，通常需要使用由碳氟化合物气体（CF4、C4F8 等）产生的高反应性氟等离子体对它们进行蚀刻。上述气体产生的等离子体的化学性质非常复杂，往往会在基材表面形成聚合物沉积物，通常使用高能离子来去除上述沉积物。。无论是等离子清洗技术的发展，还是微电子技术的发展，都意味着时代在不断发展，追求更好的品质。
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工作压力对等离子清洗效果的干扰：工作压力是等离子清洗的重要参数之一。压力的增加意味着等离子体密度的增加和平均粒子能量的降低。以化学反应为主的等离子密度的增加可以显着提高等离子系统的清洗速度，对pe基材的附着力但以物理影响为主的等离子清洗系统的效果尚不清楚。此外，压力的变化可能会改变等离子清洗反应的机理。比如硅片刻蚀工艺中使用的CF4/O2等离子在低压下起主导作用，随着压力的升高，化学刻蚀不断加强，逐渐起主导作用。
这些细线的生产和组装的电子产品、ITO玻璃表面的清洁度要求很高,产品需求可以良好的焊接性能、焊接牢固,不能有任何的有机和无机物质残留在ITO玻璃块ITO电极终端和集成电路连接的肿块,因此，对pe基材的附着力树脂对ITO玻璃的清洗是很重要的。
