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硅槽表面生长的氧化硅会阻碍四甲基氢氧化铵的后续处理,电路板清洁翻新导致西格玛硅槽的形成。在集成电路制造中,通常使用稀氢氟酸去除二氧化硅,以确保硅表面没有二氧化硅或其他污染。通过调整氢氟酸加工时间,大大改善了不同形状的西格玛硅槽的深度差。所有测试都基于相同的干蚀刻和灰化过程。当氢氟酸稀释量超过一定量时,西格玛槽深度差可控制在较低水平。然而,过量的氢氟酸清洗会去除过量的浅槽隔离二氧化硅,导致设备隔离性能下降。

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