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晶圆去胶原理

这是因为电子和离子的能量分布很大程度上影响了离子和晶圆表面的反应速率。一般来说,晶圆去胶机等离子体清洗机电子影响激发、电离、分解和热扩散过程,从而影响许多中性反应基团的通量、能量和表面反应速率。离子可以传递足够的能量,促进表面的化学反应过程,诱导溅射,从而影响反应离子的通量和能量以及参与离子的表面反应速率。。

晶圆去胶机

等离子清洗机又称等离子蚀刻机、等离子打胶机、等离子活化剂、等离子清洗机、等离子表面处理机、等离子清洗系统等。等离子处理机广泛应用于等离子清洗、等离子蚀刻、icp、晶圆到橡胶涂层、icp、灰化活化和等离子表面处理等。通过等离子体表面处理的优点,晶圆去胶机器可以提高表面润湿能力,使多种材料可以进行涂覆、电镀等操作,增强粘接强度和结合力,同时可以去除有机污染物、油污和润滑脂。

简单来说,晶圆去胶机该自动清洗平台是多片同时清洗,优点是设备成熟,容量大,而单片清洗设备是一块清洗,优点是清洗精度高,背面、斜面和边缘都可以有效清洗,同时避免晶圆之间的交叉污染。在45nm之前,自动清洗台就可以满足清洗要求,目前仍在使用;45以下的工艺节点依靠单片清洗设备来实现清洗精度要求。随着工艺节点的不断减少,单片晶圆清洗设备是当前可预见技术下未来清洗设备的主流。

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