等离子蚀刻中使用的气体大部分是含氟气体，二氧化硅的附着力其中主要是四氟化碳，等离子清洁剂会蚀刻这种气体。广泛用于晶圆制造和电路板制造。在晶圆制造行业的应用：在晶圆制造行业，光刻机使用四氟气体蚀刻硅片，等离子清洗机使用四氟气体蚀刻氮化硅和光刻去除。等离子蚀刻是在晶片制造过程中使用纯四氟化碳气体或四氟化碳与氧气结合，在微米级蚀刻氮化硅的方法。等级照片照片。
蚀刻后理想的多晶硅等离子表面处理设备轮廓是多晶硅上有硬掩模残留物，氧化钛和氧化硅的附着力多晶硅轮廓非常垂直。外观与硬掩模的临界尺寸相同。横向蚀刻发生在多晶硅蚀刻中。如果等离子表面处理器的蚀刻工艺对硬掩模和多晶硅的蚀刻选择性不同，多晶硅的上限将与硬掩模的上限不同。
聚合物在氮化硅上很薄，氧化钛和氧化硅的附着力因为Si-N键的能量比Si-O键低得多，所以Si-N键很容易断裂。CHx由于放热反应容易与-Si-N键结合生成& MIDdot;CN+& MIDdot; H，因此等离子体表面清洁蚀刻反应对氮化硅非常活跃。相反，在硅氧化膜上形成非常厚的聚合物会阻止反应的进一步进行。一般情况下，通过工艺优化可以获得大于10的选择比。表3.8列出了不同c/F比下介质层和硅的蚀刻速率、选择比和均匀度。
一是选用 氩气/氧气 组合，氧化钛和氧化硅的附着力主要面向非金属材料并且要求较高的处理...
