作为稀释气体，氮化硼的表面改性Ar和He对GST形态影响不大，但He用于四线图组时，边缘图和中心图的负荷较小。对于Ar，载荷更显著，这可能是由于Ar和he 2之间存在显著的质量差异所致。氮化钛是GST刻蚀常用的硬掩模，其轮廓形状直接影响底层GST的轮廓。氯气(Cl)主要用于氮化钛的蚀刻。
在射频低温等离子体发生器氮化中，氮化硼的表面改性低温等离子体发生器的产生和衬底偏压的产生是分开控制的，因此离子能量转换和衬底表面通量可以分开控制。由于工作压力相对较低，消耗的气体量也相应减少（低）。在渗氮过程中，低能量转换的直流辉光放电可产生NH原子，这些高活性原子可用于渗氮。整个过程需要外接电源对工件进行加热，与气体渗氮工艺类似。这类工业不仅可以精确控制表面拓扑结构，而且可以选择是否形成复合层。
在等离子体表面处理改性过程中，氮化硼的表面处理改性不仅可以去除污垢(如有机物)，还可以产生一些功能极性基团，促进键合，通过交联产生奖励效应。电晕放电是许多聚合物在缠绕和涂覆过程中经常使用的一种方法，对许多聚合物具有经济有效的作用。新开发的表面处理技术可以对射频厂的混合气体进行电离，并结合直流磁控溅射技术，利用等离子体处理技术对其表面进行氧化、氮化、氨化或水解等处理，以提高材料的表面能，改善其结合性能。
氮化硅薄膜用于制造新的功能性、多功能、可靠的器件和等离子表面处理，氮化硼的表面处理改性其性能高度依赖于薄膜的制造条件。等离子化学气相沉积（简称PECVD）具有沉积温度低（<400℃）、沉积膜针孔密度低、均匀性高、台阶覆盖率好等优点。 PECVD氮化硅薄膜技术广泛应用于半导体器件和集成电路的开发、芯片固定化膜的制作、多层布线之间的介质膜的制造，并已发展为大规模和超大规模集成。
