对材料的直接键合而言，硅等离子扫描衣服表面亲水性的晶片表面在自发键合方面要优于疏水性晶片表面。。碳化硅等离子表面处理碳化硅具有相对于其他高温材料较低的平均热膨胀系数、高热导率以及耐超高温等特点，因此在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器等应用方面具有广阔的应用前景。SiC的键合是微加工工艺中非常重要的一个步骤，同时也是 MEMS制造领域的难题之一。
理想的多晶硅等离子表面处理装置蚀刻后的轮廓是多晶硅上有硬掩模残留物，硅等离子扫描衣服表面多晶硅轮廓非常垂直。外观与硬掩模的临界尺寸相同。横向蚀刻发生在多晶硅蚀刻中。如果硬掩模的蚀刻选择性和多晶硅的等离子表面处理器蚀刻工艺不同，多晶硅上部的极限尺寸将与硬掩模的极限尺寸不同。例如，如果多晶硅限制大于硬掩模限制，则偏移间隔将在后续 MIMO 硅凹槽 (PSR) PSR 蚀刻中消耗更多。
对于材料的直接键合，硅等离子体蚀刻中的表面粗糙度亲水晶片表面优于自发键合的疏水晶片表面。。碳化硅等离子表面处理碳化硅具有比其他高温材料更低的平均热膨胀系数、更高的热导率和耐超高温性，因此具有高频、高输出、耐高温、耐辐射等特点。导电装置和紫外检测。器件等应用领域有着广泛的应用前景。 SiC键合是微加工工艺中非常重要的一步，是MEMS制造领域的难题之一。
由于其惰性和生物相容性，硅等离子体蚀刻中的表面粗糙度PTFE 是制造体内医疗器械的理想材料。然而，这些特性也是处理 PTFE 时的缺点，例如需要粘附到合成支架上以促进体内装置中的组织生长。还原等离子体可以通过降低整个表面上的氟浓度来用羟基等官能团代替氟。来解决这些问题。表面羟基可以提供锚点来支持这些合成支架。一些应用需要侵蚀主体材料。 NF3、SF6、CF4 和其他含氟气...
