低温等离子体的能量一般为几到几十个电子伏特（电子0到20 eV，蚀刻电路板化学方程式离子0到2 eV，半稳态离子0到20 eV，紫外/可见光3到40 eV），但CF键的PTFE 的键能为 4.4 eV，CC 键的键能为 3.4 eV。从此可以事实证明，冷等离子体的能量高于这些化学键的能量。这足以破坏聚四氟乙烯表面的分子键，蚀刻等一系列物理化学反应在此交汇。 - 发生链接和移植。
B 适用部位：所有工业材料、普通金属、玻璃、陶瓷。等离子蚀刻是一种各向异性蚀刻技术，蚀刻电路板的离子方程式可确保蚀刻图案选择性、特殊材料和蚀刻一致性（效果）。真空等离子清洁器的等离子蚀刻涉及同时基于等离子的物理蚀刻和基于反应基团的化学蚀刻。
等离子蚀刻中等离子清洗机专用气体的使用：先进逻辑芯片的完整制造过程涉及数千个独立的过程，蚀刻电路板化学方程式并使用大约 100 种不同的气体材料。
由于所有半导体湿法刻蚀系统都是各向同性刻蚀，蚀刻电路板的离子方程式因此氧化层和金属层的刻蚀宽度接近垂直刻蚀宽度。深度。结果，上层光刻胶的图案与下层材料的图案存在一定的差异，无法实现高质量的图案转移和复制。因此，随着特征尺寸变得更小，该过程在图案转移中基本上已经过时了。。湿法蚀刻系统过程中涉及的步骤：湿法工艺系统提供受控的化学滴落功能，进一步增强了从基板表面去除颗粒的能力。同时SWC和LSC都有跌落测试系统，可以节省大量化学试剂。
蚀刻电路板化学方程式
