等离子清洗/生产等离子蚀刻机设备，塑胶plasma刻蚀在密封容器中设置两个电极形成电场，在真空室中抽真空一定程度，随着气体越来越薄，分子之间的距离越来越远，分子或离子，自由的运动距离也越来越大，是一个电场，它们之间的碰撞形成等离子体，等离子体的活性越来越高，它的能量可以破坏几乎所有的化学键，在任何暴露的表面引起反应，不同的气体等离子体有不同的性质，如氧等离子体具有较高的氧化性，可以氧化光刻胶反应产生的气体，从而达到清洗的效果;刻蚀气体等离子体具有良好的各向异性，因此可以满足刻蚀的需要。
蚀刻工艺产率是衡量生产效率的指标，塑胶plasma刻蚀指的是每单位时间内蚀刻的晶圆数。另一个重要的质量指标是晶圆内部和晶圆之间的蚀刻均匀性，这是芯片成品率的保证。对于等离子清洗机的蚀刻各向异性，它直接定义了蚀刻后微结构的侧壁轮廓。潜在等离子体诱导损伤(PID)对器件性能有重要影响。对于传统的连续等离子体刻蚀，当器件尺寸降低到14nm以下时，实现上述刻蚀目标变得越来越困难。
等离子体干蚀刻机制造商镓作为蚀刻机:除铟镓砷外，塑胶plasma刻蚀镓砷是一种被广泛期待的半导体材料，并且这两种材料经常被一起用于制造高性能器件。因此，有必要对这类半导体的刻蚀技术进行探讨和展望。用Cl2和BCl3混合气体对镓和砷半导体材料进行深孔刻蚀。蚀刻速率为6-8um /min，光刻胶作为掩膜材料。选择比为8∶1。
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整个清洗过程可在几分钟内完成，具有产率高的特点;在清洗和去污的同时，还可以提高材料的表面性能。如提高表面润湿性、膜的良好附着力等，在许多应用中都是非常重要的。目前，等离子体表面处理的应用越来越广泛，国内外用户对等离子体清洗的要求越来越高。好的产品还需要专业的技术支持和维护。。
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大气等离子体电离过程可以很容易地控制和安全重复。高效的表面处理是提高产品可靠性和工艺效率的关键，等离子体技术也是目前较为理想的技术。大气等离子体设备通过外部活化改善大多数物质的性能:洁净度、亲水性、排水性、附着力、润滑性、耐磨性。
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