由于上部金属的尺寸小，FPC等离子体蚀刻通孔的深度和宽度大，填充向上电迁移结构中的孔和向上结构中的通孔是一个挑战。填充时，过孔侧壁上的金属阻挡层不连续或不均匀，导致上游EM失效。由于下层中上层金属的尺寸较大，填充通孔没有问题，故障主要发生在通孔底部。金属阻挡层和下面的金属铜之间的复杂界面。赵等人。研究了通孔底部开裂空隙对下行链路 EM 的影响。适当的蚀刻后清洗工艺可以有效去除过孔底部的氧化铜和蚀刻残留物，并显着减少开裂空隙。
表 7.4 两个关键纵横比下 EM 早期失效模式的关系 是 W34.57 低 1.96 中 否 否 W44.57 低 1.75 低 否 否 通过调整蚀刻工艺保持通孔底部尺寸相同通孔斜面的开口尺寸会更大，FPC等离子体蚀刻机器外观更平滑，并且可以提高向上流动的EM而没有其他副作用。大的圆形斜面开口有助于覆盖通孔中的金属阻挡层，电流密度分布比直角小开口更均匀，斜面处的电流密度梯度减小。..提高上游 EM 的性能。周等人。
前面提到过栅氧化层中TDDB的问题，FPC等离子体蚀刻但是LOW-K TDDB是类似的，但又大相径庭。一是栅氧化层存在垂直断裂，构图工艺步骤影响有限，而LOW-K后期一般为横向断裂，CDs，形貌，LWR对构图工艺有决定性影响。其次，铜布线中引入的 CU 化学机械抛光工艺会导致栅极氧化物中不存在金属离子残留物和水蒸气渗透。在蚀刻和金属阻挡溅射沉积过程中，LOW-K 也会受到等离子损伤。这也是 LOW-KTDDB 独有的。
氩气是一种有效的物理等离子清洗气体，FPC等离子体蚀刻机器因为它的原子大小，它可以以非常高的能量与产品表面碰撞。 Positive Argon 正离子被吸引到负极板上，并且冲击力去除了表面上的所有污垢。这种气态污染物被抽出。 2）氧气：与产品表面的化学物质发生有机化学反应。例如，氧气可以合理去除有机化学污染物，与污染物反应生成两种。一氧化碳、一氧化碳和水。一般来说，化学反应可以很容易地去除有机污染物。
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（等离子表面处理）等离子表面处理技术原理及应用等离子，即第四种物质的状态，由被剥夺了部分电子的原子和原子电离后产生的正负电子组成，是一种电离的气态物质那是组成的。 (等离子表面处理) 这种电离气体由原子、分子、原子团、离子和电子组成。其对物体表面的作用可以实现物体的超净清洗、物体表面的活化、蚀刻、精加工、等离子表面镀膜。
等离子体中的活性自由基通过将抗血栓形成功能基团肝素化或接枝到材料表面上来增强材料表面上的有效化学键。材料表面改性的有效性由一系列因素决定，包括材料基材的选择、抗血栓涂层的成分以及改性材料的使用寿命。
清洁等离子体处理器主要取决于等离子体中活性粒子的“激活”，即物体。污垢的目的。从力学的角度来看，等离子清洗一般包括以下过程：无机气体以等离子态被激发；气相物质吸附在固体表面；吸附剂与固体表面分子反应形成物体分子；产物分子分解形成气相。等离子处理器清洗技术的特点是无论被处理的基材类型如何，都能进行处理。烷烃、环氧树脂，甚至聚四氟乙烯都经过良好处理，能够清洁一般、局部和复杂的结构。请洗。
此外，由于其特殊的结构，可以实现半整数量子霍尔效应、不可磨灭的导电性等。石墨烯由于其出色的二维传输特性和高导电性，可用作通道材料和后端互连。当然，不同的应用有不同的蚀刻工艺要求。芯片制造中的石墨烯这个应用程序有两个难题。一是连续生长大面积、高质量薄膜，二是图案化方法。第二个方面与蚀刻工艺密切相关。相比之下，已经对大面积生长进行了大量研究，但对图案化的研究较少。
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