使用等离子清洗可取得比湿法清洗更好的效果。用等离子清洗不仅可以去除硬盘在电镀工艺遗留下来的残留物，二氧化硅二氧化钛亲水性而且可使硬盘基材表面得到处理，对改变基材的润湿性、减少摩擦都有很大好处。用于液晶显示器的等离子体清洗的气体是氧气。氧气是活泼气体，有很强的反应能力,可以将液晶显示器表面的油垢以及固体污垢微粒清除干净。经过氧气等离子体清洗后有机污垢的分子最终被氧化成水和二氧化碳等小分子并随气体排出。
自由基在化学反应过程中能量传递的“活化”作用，二氧化硅二氧化钛亲水性处于激发状态的自由基具有较高的能量，易于与物体表面分子结合时会形成新的自由基，新形成的自由基同样处于不稳定的高能量状态，很可能发生分解反应，在变成较小分子同时生成新的自由基，这种反应过程还可能继续进行下去，最后分解成水、二氧化碳之类的简单分子。
等离子体清洗原则和其他的优势原则是不同的,当接近真空的模块,射频功率,打开气体电离,等离子体,并伴随着辉光放电,等离子体加速电场下,因此高速运动的电场作用下,表面的物理碰撞,等离子体的能量足以去除各种污染物，二氧化硅二氧化钛亲水性同时氧离子可以将有机污染物氧化成二氧化碳和水蒸气带出客舱。
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在次表层（SUBSURFACE），或地表以下0- NM处，该层具有大量羟基，对水具有以下亲和力：因为它是如此坚固，玻璃表面吸附了大量的水分子（包括少量的二氧化碳）。这部分气体与表面结合不牢固，属于物理吸附和弱化学吸附。一般在真空中加热到150-200℃左右时，大部分可以在几分钟内从玻璃上解吸出来。
电晕等离子处理器应用下二氧化碳添加对C2H2脱氢的影响： 能量密度800KJ/MOL电晕等离子处理器下二氧化碳添加对C2H2脱氢的影响： 与等离子标准下的纯度相同 用C2H2脱氢，量越高添加到系统中的二氧化碳越多，C2H2 的转化率就越高。这可能会导致二氧化碳在 CO2 + E * → CO + O 下与等离子体产生的高能电子发生分裂反应，这是电晕等离子体处理器的标准，从而产生活性氧。
大气等离子体放电电压对等离子体中CH4向H2转化反应的影响：随着放电电压的升高，甲烷的转化率和C2烃的收率呈上升趋势，C2烃的选择性最高。电压为16KV，对C2烃的选择性增加。据文献报道，在冷大气等离子体条件下，CH活性物质的发射强度变化直接受工作压力和放电参数的影响。等离子体中甲烷分解的程度可以通过 CH 活性物质的强度来检测。
开发机械等离子设备，HKMG技术的伪栅刻蚀。这些步骤会影响栅极氧化物 TDDB。文献还报道，AA 的上圆角对改善栅极氧化层 TDDB 非常有帮助。这是通过在等离子清洁器等离子设备的 SiN 硬掩模蚀刻步骤之后引入额外的顶部倒圆工艺步骤来实现的。 AA 角是理想的圆弧。在等离子清洗机的等离子器件的栅极刻蚀中，如果等离子不均匀，局部区域的电子流或离子流会从栅极侧损坏栅极氧化层，使栅极质量变差。
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也有文献报道，二氧化硅二氧化钛亲水性光滑的AA上角非常有助于提高栅氧化层的TDDB，这是在等离子清洗器和等离子设备的SiN硬掩模蚀刻步骤之后，通过引入额外的顶部光滑工艺步骤来实现的，得到的AA角是理想的电弧形状。在等离子体清洗机的栅刻蚀中，如果等离子体不均匀，局部电子流或离子流会从栅侧面损伤栅氧化层，降低栅氧化层的质量，进而影响TDDB的性能。李等人。
